Gelişmelerden anında haberdar olun. Şirket yönetim kurulu tarafından onaylanan bu yatırım; DRAM, Yüksek Bant Genişlikli Bellek (HBM) ve NAND depolama çiplerindeki üretim kapasitesini uzun vadede artırmayı hedefliyor. Bu karar, SK Hynix’in orta ve uzun vadede Yongin Yarı İletken Kümesi’ne 600 trilyon won, Cheongju üssüne ise 100 trilyon won yatırma taahhüdünün bir parçası olarak hayata geçiriliyor.
Konuya ilişkin edinilen son bilgilere göre; Mevcut Çip Krizini Kısa Vadede Çözmeyecek Yapay zekâ veri merkezlerinin (özellikle Nvidia hızlandırıcılarının) tükettiği muazzam bellek miktarı, küresel ölçekte bellek tedarikinde ciddi bir sıkışmaya ve fiyat artışlarına neden oluyor. Bu kriz, tüketici elektroniğinden amiral gemisi akıllı telefon lansmanlarına kadar geniş bir yelpazeyi etkiliyor. Ancak ilan edilen yatırımlar kısa vadeli bir rahatlama sağlamayacak: Zaman Çizelgesi: Cheongju (NAND) tesisinin ilk temiz odası Aralık 2028, Yongin (DRAM) tesisinin ilk temiz odası ise Haziran 2029 tarihinde faaliyete geçecek.
Sektör Beklentileri: Pazar araştırma şirketi Omdia’nın verilerine atıfta bulunan SK Hynix, DRAM ve NAND talebinin 2030 yılına kadar yıllık bileşik %19 (CAGR) büyüme oranını koruyacağını öngörüyor. Fiyat Esnemesi Ufukta Görünmüyor: Üretim bantlarının devreye girmesi zaman alacağından, uzmanlar küresel bellek pazarındaki arz-talep dengesizliğinin ve yüksek fiyatların 2028-2029 döneminden önce belirgin şekilde gevşemesini beklemiyor. Ajans Türk editörleri gelişmelerin detaylarını aktarmayı sürdürüyor.
Yorumlar
Bu haber henüz yorumlanmadı. İlk yorum yapan siz olun!